Seoul, S. Korea, Starnberg, 6 Okt. 2016 - Neue 10nm 3DS DRAM Module für 24TB SAP HANA In-Memory-Plattform in der Testphase...

Zum Hintergrund: High-Density (3D / V-NAND) Flash und DRAM-Halbleiterentwicklungen (3DS) sind auf dem Vormarsch. Aufgrund der höheren Packungsdichte und technischer Fortschritte wird es möglich, die Leistungseffizienz und Performance von Silicon Storage weiter zu steigern (z.B. 10 nm-class 3DS); dies macht die weiteren Entwicklungen für In-Memory-Computing (IMC) - Anwendungen interessant. Samsung Electronics Co. Ltd. und SAP SE hielten hierzu am 29. Sept. die Eröffnungsfeier für ein gemeinsames Forschungszentrum ab, in dem Ingenieure Forschungs- und Entwicklungsarbeiten für Speicherlösungen durchführen, die im Bereich In-Memory-Computing der nächsten Generation zum Einsatz kommen sollen. Die Errichtung des Forschungszentrums ist Teil einer erweiterten Partnerschaft zwischen beiden Unternehmen, in der sich beide Partner auf die Entwicklung von In-Memory-Technologie konzentrieren, die eine schnellere Datenverarbeitung und vertiefte Analysen von rasch steigenden Datenmengen ermöglichen.

• Im Forschungszentrum werden Samsung und SAP weltweit aktiven Kunden optimierte In-Memory-Lösungen anbieten. Dies umfasst die Bereitstellung von umfassender technischer Unterstützung inklusive Testläufe der SAP HANA® Plattform und der Evaluierung von Samsungs neuesten Hochleistungs - und High-Density (HD) Speicherlösungen.

• Das Server-System im Forschungszentrum nutzt eine 24-Terabyte In-Memory-Plattform, die auf Samsungs 128-GB DDR4 3DS (dreidimensional gestapelt) DRAM-Modulen, gefertigt auf dem 20-nanometer Prozess-Node, basiert. Die Unternehmen planen nach vorliegenden Angaben, 10nm-Class 256GB 3DS DRAM Module nächstes Jahr einzusetzen, um die gesamte Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz zu verbessern.

Zitat Dr. Young-Hyun Jun, President des Memory Business von Samsung Electronics: “Mit unserer neuesten 10nm-Class-DRAM-Technologie können wir auf hocheffiziente Weise eine innovativere Lösung für SAPs In-Memory-System der nächsten Generation anbieten”.

Abb. 1: Bildquelle Samsung Electronics, DDR4 DRAM