Düsseldorf, Starnberg, 03. Febr. 2020 - Neue 3D-NAND-Flashspeicher-Generation bietet zusätzliche Layer sowie höhere Speicherkapazitäten bei größerer Bandbreite...

Zum Hintergrund: Kioxia Europe (früher Toshiba Memory) stellt mit der fünften Generation seiner BiCS (Bit Cost Scalable) FLASH-Technologie eine neue 3D-NAND-Flash-Speicherlösung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur vor. Erste Muster mit einer Kapazität von 512 Gigabit (64 Gigabyte) und Triple-Level-Cell-Technologie sollen laut Entwickler für Spezialanwendungen voraussichtlich bereits im ersten Quartal 2020 [1] zur Verfügung stehen. Mit der neuen Generation zielt Kioxia auf die ständig steigenden Speicheranforderungen zahlreicher Anwendungsgebiete ab – von mobilen Endgeräten über Consumer- und Enterprise-SSDs bis hin zu 5G-Anwendungen, künstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen.

In der Folge plant Kioxia laut Herstellerangaben die neue Prozesstechnologie der fünften Generation auch auf Speicherchips mit größerer Kapazität anwenden, beispielweise 1-Terabit-Triple-Level-Cell- und 1,33-Terabit-Quadruple-Level-Cell-Chips.

Kioxias 112-Layer-Stapelprozesstechnologie wird danach mit fortschrittlicher Schalttechnik und Fertigungsprozesstechnologie kombiniert. Im Vergleich zum 96-Layer-Stapelprozess  soll sich dadurch die Speicherdichte um rund 20 Prozent erhöhen lassen. Die neue Technologie reduziert die Kosten pro Bit und steigert die Speicherkapazität pro Silizium-Wafer. Darüber hinaus verbessert sie die Schnittstellengeschwindigkeit um 50 Prozent, bietet eine höhere Programmierleistung und verkürzt die Leselatenz.

Seit der Ankündigung des weltweit ersten [2] Prototyps der 3D-NAND-Flash-Speichertechnologie im Jahr 2007 treibt Kioxia nach eigenen Angaben die Entwicklung dieser Technologie weiter voran und fördert BiCS FLASH aktiv, um die Nachfrage nach größeren Kapazitäten bei kleineren Chipgrößen zu erfüllen.

Abb. 1: Vertically stacked three-dimensional (3D) flash memory, BiCS FLASH (Bildquelle: Kioxia)

Die fünfte Generation von BiCS FLASH wurde gemeinsam mit dem Technologie- und Produktionspartner Western Digital Corporation entwickelt. Die neue Generation der BiCS-FLASH-3D-Technologie wird im Kioxia-Werk in Yokkaichi und im neu errichteten Kitakami-Werk produziert.

Anmerkungen (Quelle Kioxia): 

[1] Da noch nicht alle Funktionen getestet worden sind, können sich die Eigenschaften in Zukunft noch ändern.

[2] Quelle: Kioxia Corporation, Stand: 12. Juni 2007.

Querverweis:

• Unser Beitrag > Toshiba Memory SSDs für Rechenzentren mit BiCS FLASH 64-Layer 3D Flash Memory

• Unser Beitrag > NVMe-oF: KumoScale Storage-Software v3.9 von Toshiba Memory unterstützt TCP

Weitere Anmerkung des Storage Consortium zur o.g. Ankündigung:

Flash mag aus langfristiger Entwicklungsperspektive (10+ Jahre) ja vielleicht eine Übergangstechnologie darstellen, ist aber technologisch bislang noch lange nicht am Ende. Mit dem beschleunigten Auftreten neuer Optionen wie NVMe / NVMeoF spielt Flash auch im Sinne einer erweiterten Speicherhierarchie (DRAM / SCM / Flash, NVDIMM / HDDs / Tape) eine zentrale Rolle. Für die Suche in großen Objektspeicher-Archiven mit Hilfe von Content-Metadaten stellt Flashspeicher als Cachebuffer in Ergänzung zu HDDs die geeignete Technologie dar. Flash-Storage wird bereits im großen Stil als Teil einer scale-out-Architektur im Verbund mit neuen Filesystem-Entwicklungen, Virtualisierung und Software Defined Storage im Verbund mit anwendungsnaher Kapazitätsoptimierung benutzt, um die wirtschaftlich & leistungsmäßig eine möglichst effektive Verwendung des Unternehmensspeichers zu erreichen - auch und gerade zunehmend unter dem Aspekt der Energieeffizienz.