Starnberg, 5. Dez. 2011 - IBM und die Micron Technology Inc. haben bekannt gegeben...
ZUM HINTERGRUND: Micron wird mit der Produktion eines neuen Speichers unter erstmaligem kommerziellem Einsatz einer CMOS-Fertigungstechnologie mit Through-Silicon-Vias (TSV) beginnen. Der innovative TSV-Chip-Herstellungsprozess ermöglicht es laut IBM, die Geschwindigkeit des Hybrid-Memory-Cube (HMC) von Micron um das bis zu 15-fache gegenüber heutiger Technologie zu steigern.
IBM plant, Einzelheiten der TSV-Herstellungswegs auf dem IEEE International Electron Devices Meeting am 5. Dezember in Washington, DC, USA, vorzustellen. HMC-Komponenten sollen in der modernsten IBM Fabrik für Halbleitertechnologie in East Fishkill, NY, unter Einsatz der 32nm-High-K-Metal-Gate-Prozesstechnologie hergestellt werden Die HMC-Technologie setzt Through-Silicon-Vias ein: Dies sind vertikale Leiterbahnen, die einen Stapel verschiedener Chips miteinander verbinden. Sie kombinieren Hochleistungslogik mit der DRAM-Technologie von Micron.
HMC liefert eine Bandbreite und Effizienz, die den Fähigkeiten derzeitiger Geräte voraus ist. HMC-Prototypen beispielsweise arbeiten mit einer Bandbreite von 128 GB/s. Im Vergleich dazu liefern aktuelle Geräte eine Bandbreite von 12,8 GB/s. Zudem benötigt HMC 70 Prozent weniger Energie zur Übertragung von Daten und hat gleichzeitig einen geringeren Platzverbrauch - nur 10 Prozent der Grundfläche von konventionellen Speichern. HMC wird voraussichtlich ein neues Leistungsniveau für viele Anwendungsbereiche ermöglichen, beispielsweise für sehr große Netzwerke, High-Performance Computing, industrielle Automation und am Ende auch für Verbraucherprodukte.
Micron Technology, Inc., (NASDAQ: MU) ist einer der weltweit führenden Anbieter von Halbleiter-Lösungen, darunter DRAM, NAND-und NOR-Flash-Speicher sowie weitere Speichertechnologien und Halbleiter-Systeme. Weitere Informationen unter: