Boise (Idaho), Starnberg, 28. Juli 2022 - TLC-NAND mit höchster Waferdichte im kleinsten Gehäuse; Energieverbrauch senken und ökologische Nachhaltigkeit berücksichtigen...
Zur Ankündigung: Da weltweit immer mehr Daten erzeugt werden, müssen Kunden ihre Speicherkapazität und Leistung steigern. Gleichzeitig sollen sie den Energieverbrauch senken und strengere Anforderungen an die ökologische Nachhaltigkeit erfüllen. Micron Technology, Inc. gab hierzu bekannt, dass das Unternehmen jetzt mit der Massenproduktion des weltweit ersten 232-Layer-NAND begonnen hat. Der NAND soll laut Entwickler dabei über die höchste Flächendichte der Branche verfügen; im Vergleich zu früheren Micron NAND-Generationen liefert er neben höherer Kapazität eine verbesserte Energieeffizienz, so dass datenintensivste Anwendungsfälle vom Client bis zur Cloud optimal unterstützt werden können.
Die 232-Layer-NAND-Technologie bietet nach Angaben von Micron den erforderlichen Hochleistungsspeicher, um fortschrittliche Lösungen und Echtzeitdienste zu unterstützen. Diese werden in Rechenzentren und im Automobilbereich benötigt. Außerdem erleichtert diese Technologie reaktionsschnelle Erlebnisse auf mobilen Geräten, der Unterhaltungselektronik und PCs. Die Technologie ermöglicht laut Entwickler die Einführung der schnellsten NAND-E/A-Geschwindigkeit – 2,4 Gigabyte pro Sekunde (GB/s) –, um die Anforderungen von datenzentrierten Arbeitslasten wie künstlicher Intelligenz und maschinellem Lernen, unstrukturierten Datenbanken und Echtzeitanalysen sowie Cloud Computing mit niedriger Latenz und hohem Durchsatz zu erfüllen. (1)
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Diese Geschwindigkeit soll einer 50 % schnelleren Datenübertragung als die schnellste Schnittstelle, die auf dem 176-Schichten-Knoten von Micron möglich ist, entsprechen. (2) Der 232-Layer-NAND von Micron bietet außerdem eine bis zu 100 % höhere Schreibbandbreite und eine mehr als 75 % höhere Lesebandbreite pro Chip als die vorherige Generation.2 Diese Vorteile pro Chip führen zu Leistungs- und Energieeffizienzsteigerungen bei SSDs und eingebetteten NAND-Lösungen.
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Darüber hinaus ist der 232-Layer-NAND laut Micron der weltweit erste TLC-Produktions-NAND mit sechs Ebenen. (3) Er verfügt über die meisten Ebenen pro Die aller TLC-Flashspeicher (3) und unterstützt unabhängige Lesefähigkeit auf jeder Ebene. Die Kombination aus hoher E/A-Geschwindigkeit, Lese- und Schreiblatenz und der Sechs-Ebenen-Architektur von Micron soll für weniger Kollisionen zwischen Schreib- und Lesebefehlen und für Verbesserungen der Servicequalität auf Systemebene sorgen.
Der 232-Layer-NAND ist der erste NAND in der Produktion, der NV-LPDDR4 unterstützt. Dabei handelt es sich um eine Niederspannungsschnittstelle, die im Vergleich zu früheren E/A-Schnittstellen Einsparungen von mehr als 30 % pro Bit ermöglichen kann. Daher bieten 232-Schichten-NAND-Lösungen die ideale Unterstützung für mobile Anwendungen und Einsätze im Rechenzentrum und an der Intelligent Edge, die eine verbesserte Leistung mit einem geringen Stromverbrauch in Einklang bringen müssen. Die Schnittstelle ist auch rückwärtskompatibel, um ältere Controller und Systeme zu unterstützen.
Der kompakte Formfaktor bietet den Kunden Flexibilität bei ihren Designs und ermöglicht gleichzeitig eine extrem hohe TLC-Dichte pro Quadratmillimeter (14,6 Gb/mm2). (3) Die Flächendichte ist laut Hersteller zwischen 35 % und 100 % höher als bei konkurrierenden TLC-Produkten, die jetzt auf dem Markt erhältlich sind. (3) Durch die Auslieferung in einem neuen 11,5 mm x 13,5 mm großen Gehäuse ist der 232-Layer-NAND um 28 % kleiner als frühere Micron-Generationen (2) und damit der kleinste verfügbare High-Density-NAND. (3) Mehr Dichte auf kleinerer Fläche minimiert den Platz auf der Platine für eine Vielzahl von Anwendungen.
Bildquelle: 232-Layer-NAND von Micron
Link > Micron 232-Layer-NAND-Technologie > https://www.micron.com/products/nand-flash/232-layer-nand
Kommentarauszug Scott DeBoer, Executive Vice President of Technology and Products bei Micron: „Der 232 Schichten umfassende NAND von Micron ist ein Wendepunkt für die Speicherinnovation. Denn er ist der erste Beweis für die Fähigkeit, 3D NAND in der Produktion auf mehr als 200 Schichten zu skalieren“.
Quellenangabe (Micron):
(1) NAND-E/A-Geschwindigkeit beträgt 1,6 GB/s zum Zeitpunkt der Markteinführung
(2) Basierend auf einem Vergleich der Micron-Produktdatenblätter
(3) Basierend auf einem Vergleich der derzeit auf dem Markt befindlichen NAND Technologie
Querverweis:
Unser Beitrag > Micron 7450 liefert 176-Layer-NAND-SSD mit 2 ms QoS-Latenz für Rechenzentren
Unser Blogpost > Storage für KI: Welche Speichertechnologien sind dafür geeignet?